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通过哪些指标判断强势股_股票常用技术指标有哪些
在股市中，我们将那些连续上涨的股票称为强势股，而一般股民最喜欢也最想买到的就是这种股票，因为可以最大程度的获利，下面是小编整理的通过哪些指标判断强势股，仅供参考，希望能够帮助到大家。
通过哪些指标判断强势股
一、看大盘
强势股通常都是热点板块中的热门股，甚至是龙头股，只有在大盘走势良好的情况下板块才会有更好的表现，也才会有更大的行情，而如果大盘走势不好开始下跌，则强势股也可能存在很大的回调风险。另外，我们在买入强势股的时候，一定要观察这只股票前期的涨幅，如果前期上涨幅度已经很大，切不可追高，这样会让你得不偿失。当然，如果你有丰富经验的话，那就另当别论了。
二、看成交量
量在价先，在股市中任何指标都可能会骗你，但是成交量绝对无法欺骗，而强势股必然也会有强庄存在，这些强庄在进出股票的时候由于资金量大，那么在成交量上必然就会留下一些痕迹。所以我们看股价走势不管是从强转弱还是从弱转强，首先要关注的就是成交量。对于那些强势上涨的个股，缓慢上涨或者是没有任何变化就是最安全的。
我们举个例子来说，有股票A和股票B两只股票，他们的价位都在20元上，他们同时将股价炒到翻倍价位上，股票A用了10%的筹码，而股票B则用了50%的筹码。这就很明显了，股票A上涨的更轻松，因此上涨动力也就更大，股票B则是使了吃奶的劲才翻倍，后续上涨必然会出现乏力。
三、看趋势线
当股价走势出现变动的时候，通过趋势线我们都可以比较容易的辨别出来，对于强势股来说，它的生命线我们可以看做是10日均线，股价在上涨过程中不管是主力洗盘还是震仓，只要股价不下跌破掉10日均线，那么行情就还没走完，我们可以继续持股待涨。这种方法运用在强势股上非常有效。
股票常用技术指标有哪些
在股市投资中，MACD指标作为一种技术分析的手段，得到了投资者的认知。
但如何使用MACD指标，才能使投资收益达到最佳境界，却是知者甚微。
技术分析作为股市一种投资分析的工具，有两大功能。
首先是发现股市的投资机会，其次则是保护股市中的投资收益不受损失。
在股市_作中，MACD指标在保护投资者利益方面，远超过它发现投资机会的功效，MACD指标作为中长期分析的手段，它所产生的交叉信号，对短线买卖比较滞后。
MACD指标属于大势趋势类指标，它由长期均线MACD，短期均线DIF，红色能量柱(多头)，绿色能量柱(空头)，0轴(多空分界线)五部分组成。
它是利用短期均线DIF与长期均线MACD交叉作为信号。
MACD指标所产生的交叉信号较迟钝，而作为制定相应的交易策略使用效果较好，具体使用方法如下：
1当DIF,MACD两数值位于0轴上方时，说明大势处于多头市场，投资者应当以持股为主要策略。
若DIF由下向上与MACD产生交叉，并不代表是一种买入信号，而此时的大盘走势，已是一个短期高点，应当采用高抛低吸的策略。
一般情况下，在交叉信号产生后的第二天或第三天，会有一个回调低点，此刻可以再行买入，达到摊低成本的目的。
若DIF由上向下交叉MACD时，说明该波段上升行情已经结束，通常行情会在交叉信号产生后，有波象样的反弹，已确认短期顶部的形成，此时投资者可以借机平仓出局。
在之后的调整中，利用随机指标KDJ，强弱指标KSI再伺机介入，摊低_作成本。
若DIF第二次由下向上与MACD交叉，预示着将产生一波力度较大的上升行情，在交叉信号产生后，投资者应当一路持股，直到DIF再次由上向下交叉MACD时，再将所有的股票清仓，就可以扛着钱袋回家休息了。
由于股市行情的变化多端，MACD指标常会与K线走势图呈背离的走势，通常称为熊背离。
既K线走势图创出近期的第二个或第三个高点，MACD指标并不配合出现相应的高点，却出现相反的走势，顶点在逐步降低。
次种现象应引起投资者的警觉，因为它预示着今后将有大跌行情产生，所以投资者宜采用清仓离场的策略，使自己的股票避免被套，资金避免受到损失。
2当DIF与MACD两指标位于0轴的下方时，说明目前的大势属于空头市场，投资者应当以持币为主要策略。
若DIF由上向下交叉MACD时，会产生一个调整低点。
一般情况下，在此之后由一波反弹行情产生，这是投资者一次很好的平仓机会。
在中国股市中，目前还没有建立作空机制，因此股市一旦进入空头市场，投资者最好的策略就是离场观望。
投资者可以在股票贬值的同时，使手中的资金得到增值。
若DIF由下向上交叉MACD时，会产生近期的一个高点，投资者应当果断平仓。
这种信号的产生，一般以反弹的性质居多。
在空头市场中，每次反弹都应当视为出货的最佳良机。
尤其需要引起注意的是，若DIF第二次由上向下交叉MACD时，预示着今后会有一波较大的下跌行情产生。
投资者应当在交叉信号产生后，坚决清仓出局。
通常产生的这段下跌，属于波浪理论中的C浪下跌，是最具杀伤力的一波下跌。
只有躲过C浪下跌，才可以说真正在股市中赚到了钱。
在空头市场经过C浪下跌以后，偶尔也会发生MACD指标与K线走势图产生背离的现象，通常称为牛背离。
既K线走势图出现第二或第三个近期的低点，MACD指标并没有相应的低点产生，却出现一底高过一底的相反走势，这种现象的产生，预示着行情在今后会发生反转走势，投资者应当积极介入，因为目前的市场根本没有风险。
3当MACD指标作为单独系统使用时，短线可参考DIF走势研判。
若DIF由上向下跌穿O轴时可看作大势可能步入空头市场，预示着大势将走弱，应当引起投资者的警觉。
在空头市场中，投资者承受的风险高于收益。
若MACD由上向下跌空O轴时，确认大势进入空头市场。
投资者应采用离场观望的策略，以回避市场风险，使牛市中赚到的利润得到保障。
若DIF由下向上穿越O轴时，可看作大势可能布入多头市场。
预示着大势将走强，_作上应部分资金参与。
若MACD由下向上穿越O轴时确认大势进入多头市场。
股票随机指标有哪些
1、相对强弱指数(RSI)
相对强弱指数是反映市场气势强弱的指标，它通过计算某一段时间内价格上涨时的合约买进量占整个市场中买进与卖出合约总量的份额，来分析市场超买和超卖情况及市场多空力量对抗态势，从而判断买卖时机。
根据采样的天数可以计算多种RSI，如6日RSI、12日RSI、24日RSI。一般大多采用6日RSI。RSI的值在0到100之间。值越大，表明市场上卖气越弱、买气越强;值越小，说明市场上买气越弱，卖气越强。一般说，RSI值超过75或80为超买区，低于20或25为超卖区。
通常将RSI值和移动平均线、K线图等画在一起，以移动平均线或K线图观测市场趋势，以RSI值图分析市场买卖双方力量对比的变动，相互补充。使用RSI值图的技术分析者最看重的是与RSI值图的背离。当新的RSI值低于前高点而价格线却创新高点时，表明上升趋势可能逆转，当RSI降低到以前的低点时逆转便成定局。跌势逆转的判断相反。但是，运用相对强弱指数测市时，除了应注意背离走势外，还应注意切不可因为相对强
弱指数已进入超买超卖区便盲目入市。因为，在超买超卖区内，有时即使相对强弱指数的微幅波动，价位也可能持续大涨或大跌。也就是说，在"一边倒"的行情中，相对强弱指数可能失真。
2、KD线
KD线，是指以K线和D线的组合变化来说明市场价格变化的技术指标。K值是当前收盘价处于当期极点高价与低价差额的相对比例。比例高显示当前市价偏向靠近高价，比例低显示当前市价偏向靠近低价，通过水平变动的数值，可以说明市场内部动力的增减情况。D值是累积极点高低价差额，比较当前市价处于当期极点高低价差额的总和，然后再求出相对比例。将K、D值画在坐标图中，连点成线，就可得到K线、D线。同相对强弱指数一样，随机指标的值介于0-100，它们的变动同样可以反映市场买卖双方的力量对比。K、D值越高，买气越盛，卖气越弱;相反则买气越弱，卖气越盛。K、D值达到70或75以上时，市场处于超买状态，低于25或30时，市场处于超卖状态。如果市场处于明显的涨势，它会先带动K线上升，然后带动D线;如果市场处于显著的跌势，同样是先带动K线下跌，其次才是D线。当K线从下向上穿过D线时，特别是两线相交且上升时，证明市场走势向上，应买入合约，当K线从上向下穿过D线时，特别是两线相交且下跌时，证明市场走势向下，应卖出合约。
3、指数平滑异同移动平均线(MACD)
指数平滑异同移动平均线，是运用快速与慢速的移动平均线聚合与分离的特点，加以双重平滑运算，用以研判买卖时机。它是对中期行情趋势进行分析研判的一种常用辅助工具。在应用上应先算出短期移动平均线与长期移动平均线，再测量出这两个数值的差离值，即：短期移动平均线之值-长期移动平均线之值。在持续涨势中，短期移动平均线会在长期移动平均线之上，其间的正差离值(+DIF)会越来越大;反之在跌势中，负差离值(-DIF)亦会增大。在行情开始回转时，正或负差离值会缩小。
1、士兰微（600198）：芯片概念龙头股。公司拥有多项核心专利技术，并参与承建无线移动通信国家重点实验室和新一代移动通信无线网络与芯片技术国家工程实验室。2、ST大唐（600460）：芯片概念龙头股。是目前国内唯一一家全面掌握上述核心技术的芯片厂家。3、ST丹邦（002618）：芯片概念龙头股。公司拥有多项自主知识产权，具有从柔性材料到柔性封装基板到芯片封装组件等产业链的核心技术，为客户提供设计、制造、服务的完整柔性互联及封装解决方案。芯片概念概念股其他的还有： 左江科技、中颖电子、航锦科技、高德红外、卓胜微、上海新阳、上海瀚讯、景嘉微、北京君正、海陆重工、航天发展、光弘科技等。
1、北方华创（002371）：世界级半导体设备后备军！
北方华创主要从事基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，是国内主流高端电子工艺装备供应商，也是重要的高精密、高可靠电子元器件生产基地。
公司电子工艺装备主要包括半导体装备、真空装备和锂电装备，广泛应用于集成电路、半导体照明、功率器件、微机电系统、先进封装、光伏、新型显示、真空电子、新材料、锂离子电池等领域；电子元器件主要包括电阻、电容、晶体器件、微波组件、模块电源、混合集成电路，广泛应用于航空航天、精密仪器仪表、自动控制等高、精、尖特种行业领域。
2、中微公司（688012）：世界级半导体设备后备军！
中微半导体设备(上海)股份有限公司的主营业务是半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司的主要产品有电容性等离子体刻蚀设备，电感性等离子体刻蚀设备，MOCVD设备，VOC设备。
2019年在美国领先的半导体产业咨询公司VLSI Research对全球半导体设备公司的“客户满意度”调查和评比中，公司综合评分继2018年的结果之后继续保持全球第三，在芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造设备供应商评比中均名列第二，并在薄膜沉积设备评比中继续名列第一。同时，全球晶圆制造设备商评级为五星级公司仅有五家，中微公司是其中之一。
3、大族激光（002008）：世界激光设备全场景龙头！
近年来我国传统制造业正处于加速转型阶段，国家大力推进高端装备制造业的发展，原有激光加工技术日趋成熟，激光设备材料成本不断降低，新兴激光技术不断推向市场，激光加工的突出优势在各行业逐渐体现，激光加工设备市场需求保持持续增长。
世界各国相继出台关于机器人产业发展的国家级政策，机器人产业发展已提升至各国国家战略的层面，全球智能制造迎来了巨大的市场机遇。由于激光加工设备工作过程具梁郑有智能化、标准化、连续性等特点，通过配套自动化设备可以提高产品质量、提高生产效率、节约人工等，未来激光+配套自动化设备的系统集成需求成为趋势。
4、中芯国际（688981）：世界第三的芯片先进代工！
中芯国际集成电路制造有限公司成立于2000年4月3日主要从事集成电路晶圆代工业务，以及相关的设计服务与IP支持、光掩模制造、凸块加工及测试等配套服务，属于集成电路行业。
公司主要产品及服务为集成电路晶圆代工、设计服务与IP支持、光掩模制造及凸块加工及测试，公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大明嫌、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。
5、兆易创新（603986）：世界存储芯片平台后备军！
DRAM即动态随机存取存储器，是当前市场中最为重要的系统内存，在计算系统中占据核心位置，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。因极高的技术和资金壁垒，DRAM领域市场处于高度集中甚至垄断态势。公司从2020年开始销售合肥长鑫DRAM产品，自有品牌DRAM产品预计2021年上半年推出，主要面向消费类、工业控制类及车规等利基市场。
公司传感器业务致力于新一代智能终端生物传感技术的自主技术创新，专注于人机交互传感器芯片和解决方案的研制开发，目前提供嵌入式传感芯片，电容、超声、光学模式指纹识别芯片以及自、互触控触屏控制芯片，广泛应用于新一代智能移动终端的传感器模组，也适用于工业自动化、车载人机界面及物联网等需要智能人机交互解激渣手决方案的领域。
6、TCL集团（000100）：世界前四的半导体显示！
半导体显示产业是本集团的核心业务。公司通过并购中环半导体，布局半导体光伏和半导体材料产业。这两项核心业务技术门槛高、投资额大、产业周期长，需要有长远战略管理能力，穿越产业周期的经营能力和持续融资发展能力；需要保持产品技术领先，达到最佳经营规模；需要以全球领先的目标规划发展战略。以上也是本集团的核心能力和业务经营逻辑。
我们之所以选择这两项核心产业赛道，是基于中国在半导体光伏产业和半导体显示产业中的液晶显示领域，已经形成全球领先的产业规模和竞争力，而中环半导体和TCL华星光电已成为行业头部企业之一。随着全球市场需求增长和行业集中度提高，将面临更多的机遇和挑战。
7、长电科技（600584）：世界前三的先进芯片封装！
长电科技提供微系统集成封装测试一站式服务，包含集成电路的设计与特性仿真、晶圆中道封装及测试、系统级封装及测试服务；产品技术主要应用于5G通讯网络、智能移动终端、汽车电子、大数据中心与存储、人工智能与工业自动化控制等电子整机和智能化领域。
8、圣邦股份（300661）：中国模拟IC芯片设计龙头！
目前拥有25大类1，600余款在销售产品，涵盖信号链和电源管理两大领域，其中信号链类模拟芯片包括各类运算放大器及比较器、音频功率放大器、视频缓冲器、线路驱动器、模拟开关、温度传感器、模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）、电平转换芯片、接口电路、电压基准芯片、小逻辑芯片等；电源管理类模拟芯片包括LDO、微处理器电源监控电路、DC/DC降压转换器、DC/DC升压转换器、DC/DC升降压转换器、背光及闪光灯LED驱动器、AMOLED电源芯片、PMU、OVP及负载开关、电池充放电管理芯片、电池保护芯片、马达驱动芯片、MOSFET驱动芯片等。
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